安森美半导体j系列阵列硅光电倍增管(SiPM)传感器已被用于创建高填充系数，可扩展阵列。tsv封装的传感器安装在PCB板上，具有最小的死区。Array-J产品有多种格式，可以是3mm、4mm或6mm像素。每个array - j的背面有一个或多个...

安森美半导体j系列硅光电倍增管(SiPM)传感器已被优化的高性能定时应用，如ToF-PET(飞行时间正电子发射断层扫描)。由于增加了微单元密度，j系列传感器可以实现50%的光子探测效率(PDE)，灵敏度向下延伸到紫外线。这些传感器具有行业领先的...

Broadcom AFBR-S4N44C013 4mm NUV-HD单SiPM(硅光电倍增管)专为单光子的超灵敏精密测量而设计。该光电倍增管提供3.72毫米x 3.72毫米的有效面积。采用透硅通孔(TSV)技术实现了单片机的高封装密度。...

Broadcom AFBR-S4N66C013 6mm单硅光电倍增管(SiPM)专为单光子的超灵敏精密测量而设计。该单SiPM提供6.14mm(2) x 6.14mm(2)有源面积，并通过利用透硅通孔(TSV)技术促进单个芯片的高封装密...

安森美半导体c系列硅光电倍加(SiPM)传感器具有业界领先的30kHz/mm低暗计数率 (2)、结合异常击穿电压均匀性±250mV。高光子探测效率(PDE)延伸到光谱的蓝色部分使用高体积，CMOS工艺。这些传感器有1mm, 3mm和6mm尺寸...